【반도체 제조 개론】 2강 - 반도체 단위 소자의 기본 구조 및 동작 원리
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공부/【반도체 공정】
1. PN 접합의 개념 - PN 접합 P형 반도체와 N형 반도체의 접합 다이오드와 트랜지스터의 기본 구성요소임 P형 반도체와 N형 반도체가 접합하면 각각의 정공과 전자의 농도차에 의한 확산(Diffuision) 발생 이때 생기는 공핍층의 두께를 조절하여 전류가 한쪽 방향으로 흐를 수 있게 함 - PN 접합에서의 전하농도 변화 과정 P형 반도체와 N형반도체가 접합하면 전자와 정공이 재결합하며 공핍층이 형성됨 * 공핍층 : 접합면에서 일정부분 양 방향으로 캐리어가 없는 구간 P형의 높은 농도의 정공과 N형의 높은 농도의 전자가 각각 확산되는 것임 이 공핍층에는 공간전하(Space Charge)만 남게 됨 *공간 전하 : 순 양전하 및 음전하를 띤 두 영역을 공간 전하 영역이라 하며, 이동 전하가 결핍되어 있..