0. 이전 이야기 6강에서는 다이오드의 동작 원리에 대하여 학습했음다이오드는 기본적으로 pn접합이 이뤄지는데, 이때 pn접합이란 실리콘에 +3가를 도핑한 p형 반도체와 실리콘에 +5가를 도핑한 n형 반도체를 붙여놓은 것을 말함이때 pn접합에서는 공핍층이 만들어지는데 접합이 이루어진 후 접합면 부근 캐리어들이 재결합을 이루며 소멸하여, 그 부분에는 이온들만 존재하게 되므로 전기적 중성이 깨지게 됨이렇게 다수 캐리어들이 재결합으로 소멸한 접합면 부근의 영역을 공핍층이라고 부름p영역에 $(+)$, n영역에 $(-)$ 전압을 연결한 상태인 순방향 바이어스를 걸어주면 공핍층은 얇아지게 됨* 다수캐리어가 공핍층쪽으로 이동하여 이온들이 중성화되기 때문임p영역에 $(-)$, n영역에 $(+)$ 전압을 연결한 상태인 역..

0. 이전 이야기 지난 5강에서는 n형 반도체와 p형 반도체에 대하역 학습하였음순수한 반도체인 진성 반도체는 실리콘 외부에 전압을 걸어도 전류가 흐르지 않기 때문에 이를 해결하기 위해 도핑을 함도핑이란 원자가띠에 3개 도는 5개의 전자가 있는 불순물을 첨가함으로써 전자나 정공의 수를 인위적으로 조절하는 방법임이때 +3가 불순물이 첨가될 경우 p형 반도체가 되고 +5가 불순물이 첨가될 경우 n형 반도체가 됨반도체에 전류가 흐를 때 대부분의 전류 흐름을 만들어 내는 잉여전자와 정공을 다수 반송자, 소수의 흐름을 만들어 내는 것을 소수 반송자라고 함https://nate0707.tistory.com/104 【전자회로 기본Ⅰ】 5강 - n형과 p형 반도체0. 이전 이야기 지난 4강 반도체의 성질에서는 도체와 절..

0. 이전 이야기 지난 4강 반도체의 성질에서는 도체와 절연체의 중간 성질을 띄는 반도체에 대하여 학습하였음반도체의 전기적 성질을 인위적으로 조절해 다양한 역할을 하는 전기소자를 제작할 수 있음원자가띠와 전도띠 사이를 밴드 갭이라고 하는데, 밴드 갭 이상의 에너지를 받아 전자가 원자가띠에서 전도띠로 이동할 때 이동한 전도띠 안의 전자를 자유전자라고 하며, 원래 원자가띠에 있던 전자의 자리를 정공이라고 함반도체는 외부의 에너지로부터 자유전자가 발생하고 이 것이 전도띠에서 자유롭게 이동하면서 자유전자전류가 생성됨https://nate0707.tistory.com/102 【전자회로 기본Ⅰ】 4강 - 반도체의 성질0. 이전 이야기 3강에서는 인덕터에 대하여 학습하였음인덕터는 에너지를 저장하는 장치로 에너지를 전..

0. 이전 이야기 3강에서는 인덕터에 대하여 학습하였음인덕터는 에너지를 저장하는 장치로 에너지를 전기장으로 저장하는 커패시터와 달리 에너지를 자기장 형태로 저장함인덕터는 렌츠의 관성법칙에 의해 전류가 변하면 그 변화를 방해하는 역기전력이 생기며 이가 전류의 흐름을 방해함인덕턴스는 교류전류의 흐름을 방해하는 인덕터의 능력을 말하는데, 이는 도선에 흐르는 전류에 반비례하고 코일이 감긴 횟수에 비례함칩 인덕터의 종류에는 파워 인덕터, 고주파 인덕터, 비드 등이 있음이중 비드는 전자파 노이즈인 고주파 EMI를 제거하는 역할을 함인덕터의 임피던스는 주파수가 커질수록, 인덕턴스 값이 클수록 커짐하지만 특정 구간부터는 주파수가 증가함에 따라 임피던스는 감소하는데 이는 병렬 커패시터 $C_p$에 의한 임피던스 감소 때..

0.  이전 이야기 이전 포스팅에서는 커패시터에 대하여 학습하였음커패시터란 축전기로 전하를 저장하는 회로 소자로 두 도체판이 떨어져 있는 구조에 그 사이로 유전체가 들어감이때 유전분극 현상으로 전기장의 전위차는 감소하고 이에 해당하는 에너지를 유전체가 저장하는 것임이때 커패시터의 용량은 커패시터 양쪽 단자의 면적, 양 단자 사이의 거리, 내부 유전체 재료의 특성에 의해 결정됨대표적인 커패시터 종류로는 MLCC, 알루미늄 전해 커패시터 그리고 탄탈 커패시터 등이 있음MLCC의 특성에 대해서도 학습하였는데, 커패시터의 임피던스는 주파수가 증가함에 따라 감소하다 특정 주파수부터 증가함* 이때의 주파수를 자기공명주파수라고 함그리고 배터리, 커플링, 바이패스, 디커플링 등 커패시터의 기능에 대해서도 학습했음 ht..

0. 이전 이야기 이전 포스팅에서는 저항기에 대하여 학습하였음저항기란 저항을 띄는 회로장치로 전류의 흐름을 방해하는데 이때의 저항은 옴의 법칙을 통해 구할 수 있음$R=\frac{V}{I}$온도가 변할때의 저항은 저항온도계수를 통해 구할 수 있고 이때 제조 공정상의 편차인 허용오차를 고려한다면$R'=R(1±x±\alpha \Delta T)$그리고 저항기의 종류로는 탄소피막 저항기, 금속피막 저항기, 시멘트 저항기 그리고 칩 저항기 등이 있음저항값은 표준 저항값을 이용해 대량 생산에 용이하게 했고 탄소피막 저항기와 금속피막 저항기는 띠의 색상으로 저항값을 표현함마지막으로 회로에서 오차가 없는 이상적인 경우와 오차가 있는 경우의 $V_{out}$을 구했음 https://nate0707.tistory.com/..

1. 저항기의 특성 - 저항기 # 저항기란?저항기(Resistor)란 저항을 띄는 회로장치로 전류의 흐름을 방해함회로에 흐르는 전류의 양을 조절하거나 전압을 분배함저항기는 물질의 구성 성분에 따라, 물질마다 다른 저항값을 가짐 # 저항저항(Resistance)이란 저항기가 전류 흐름을 방해하는 정도 Ω(옴, ohm) 단위를 사용함$R=\frac{V}{I}$  저항은 물질의 비저항과 길이에 비례하며 단면적에 비례함* 이때 물질은 서로 다른 저항값을 가지는데 이를 비저항이라고 함 - 저항기 특성 # 물질에 따른 저항 특성물질의 구성성분에 의해 물질마다 다른 저항값을 가짐, 즉 비저항 값은 물질마다 다름 이때 도체와 부도체를 다음과 같이 정의할 수 있음도체 : 비저항의 크기가 작아 전기를 잘 전달하는 물질부도..

전자회로 기본Ⅰ 학습기간 2024-09-07 ~ 2024-10-06블로그 포스팅은 국민평생직업능력개발 STEP 정승혁 교수의 전자회로 기본Ⅰ 강의와 자료를 기반으로 작성됨 - 목차 1. 저항기    2. 커패시터 3. 인덕터 4. 반도체 둘러보기 5. n형과 p형 반도체 6. 다이오드의 동작원리 7. 제너 다이오드 8. 쇼트키 다이오드 9. LED(발광 다이오드) 10. 정류회로에서의 다이오드 11. 신호전압을 조절하는 다이오드 12. BJT 구조와 동작 13. BJT 특성 해석을 위한 파라미터 14. BJT 증폭기와 BJT 스위치 15. BJT 바이어스 회로  - 과목소개  전자회로에서 사용하는 기초적이고 대표적인 부품들의 특성을 이해하고, 전원안정화, 여러 종류의 증폭기, 발진회로, 펄스회로, 변복조..