1. CMOS 기술과 TFT 기술 - CMOS 기술과 TFT 기술의 비교 컴퓨터 및 스마트폰에 들어가는 CPU, GPU, AP, Memory 등MOSFET 형태를 제작하는 전반적인 분야 및 기술에 사용됨TFT보다 기술 관련 산업이 큰 파이를 차지함 각종 디스플레이 패널에 적용Thin Film Transistor의 약자디스플레이 패널의 빛을 조절하는 핵심 반도체 소자임 집적도의 변화 : CMOS는 무어의 법칙을 좇는 형태지만 TFT는 향상 속도가 느림기판,die 크기 변화 : CMOS는 기판 크기가 상대적으로 작아 크기 변화도 포화상태지만 TFT는 2.5년마다 2배씩 증가함 두 기술의 공통점 : 성능을 증가시켜 단가를 낮추는 방향으로 발전함CMOS는 성능은 유지 및 개선하되 집적도를 증가시키려하며, TFT..

1. 드루드 모델의 원리 - 고체 내 전자 혹은 정공의 흐름 표동(Drift)와 확산(Diffusion)으로 나누어짐 표동 : 전기장의 존재에 의해 (-)전하를 가진 전자가 (-)에서 (+)로 이동하는 현상 확산 : 농도차에 의해 전자가 농도가 높은 곳에서 낮은 곳으로 이동하는 현산 - 드루드 모델(Drude Model) 금속 내 전자의 움직임을 설명하는 모델 핀볼처럼 도체 안의 자유 전자가 무한히 단단한 양이온에 부딪치면서 움직이는 것으로 가정 반도체 내 전기장의 존재 하에서 전하의 표동(전자가 이동하는 원리)을 설명함 반도체 내 전기장 E가 존재할 때, 유효질량m을 갖는 전자가 받는 힘 F는 다음과 같음 e: 전하량, v: 전자 속도, τ: 전자의 Relaxation Time(전자의 충돌 이후 다시 ..

1. PN 접합의 개념 - PN 접합 P형 반도체와 N형 반도체의 접합 다이오드와 트랜지스터의 기본 구성요소임 P형 반도체와 N형 반도체가 접합하면 각각의 정공과 전자의 농도차에 의한 확산(Diffuision) 발생 이때 생기는 공핍층의 두께를 조절하여 전류가 한쪽 방향으로 흐를 수 있게 함 - PN 접합에서의 전하농도 변화 과정 P형 반도체와 N형반도체가 접합하면 전자와 정공이 재결합하며 공핍층이 형성됨 * 공핍층 : 접합면에서 일정부분 양 방향으로 캐리어가 없는 구간 P형의 높은 농도의 정공과 N형의 높은 농도의 전자가 각각 확산되는 것임 이 공핍층에는 공간전하(Space Charge)만 남게 됨 *공간 전하 : 순 양전하 및 음전하를 띤 두 영역을 공간 전하 영역이라 하며, 이동 전하가 결핍되어 있..

1. 반도체의 개념 반도체는 상온에서 전기 전도율이 구리 같은 도체하고 애자, 유리 같은 부도체의 중간 정도인 물질이다. 가해진 전압이나 열, 빛의 파장 등에 의해 전도도가 바뀐다. 일반적으로는 규소 결정에 불순물을 넣어서 만든다. -위키 백과- - 재료적 관점에서의 반도체 반도체는 전기전도도(전기가 통하는 정도로 재료마다 고유값이 있음) 값을 임의로 조절 가능한 물질임 - 전기전도도 조절 법 빛, 온도 >> 국소적 조절 힘듦 불순물 주입(도핑) >> 한 번 하면 바꿀 수 없음 외부전계를 인가하여 자유전자(혹은 정공)의 개수 조절 >> 반도체 소자 제작 이후에도 국소적으로 전기전도도 조절 가능!! * 전계란 전기장을 의미함 2. 반도체 재료의 특징 - 실리콘의 결정 구조 실리콘은 14족 원소로 최외각 전..

STEP에서 진행하는 나준홍(경남대학교 전기공학과, 조교수)의 반도체 제조 개론이다.학습기간은 2024-05-15 ~ 2024-06-14이다. 이 강좌는 반도체 제조에 필요한 단위 소자의 구조 및 특징, 단위 공정의 필요성과 연계성 등, 전반적인 내용에 대한 지식을 함양을 목표로 한다. 목차 및 세부 강의 내용1반도체 분야와 개념 이해하기 1강 정리 내용 바로가기 : https://nate0707.tistory.com/23반도체의 개념과 분류반도체 제조 공정과 소자평가하기2반도체 단위 소자의 기본 구조 및 동작 원리 2강 정리 내용 바로가기 : https://nate0707.tistory.com/24가장 기초적인 반도체 소자 : PN 접합과 다이오드MOS 커패시터 구조와 동작 원리MOSFET 구조와 동작..