0. 이전 이야기 10강에서는 정류회로에서의 다이오드에 대하여 학습하였음정류회로란 교류를 직류로 바꾸는 회로를 말함 발전소에서는 220V, 60Hz 교류를 가정으로 보내는데, 전자제품의 경우 직류를 사용하므로 정류기를 통해 교류를 직류로 바꿔주어야 함정류기의 종류에는 교류 입력이 '+' 일때만 교류전압을 직류전압으로 바꿔주는 반파 정류기와 '+'일때와 '-'일때 모두를 바꿔주는 전파 정류기가 있음이러한 정류기에는 변압기를 사용하는데, 변압기를 사용하지 않고 직접 교류를 직류로 바꿔주면 오류가 발생할 수 있기 때문임전파 정류기의 종류로는 2차 코일이 중간에 접지되고 2차 코일 양단에 다이오드가 연결된 구조의 중간탭 전파 정류기와 4개의 다이오드를 연결한 구조인 브리지 정류기가 있음전파 정류기의 출력은 전압..

0. 이전 이야기 9강에서는 LED 발광 다이오드에 대하여 학습하였음LED란 순방향 바이어스 방향으로 작동할 때 전기 에너지를 빛 에너지로 변환하는 반도체 장치를 말함전자가 정공과 재결합할 때마다 반도체 다이오드에서 에저니는 광자의 형태로 잠깐 방출됨이때 일반 실리콘 다이오드의 경우 광자 대부분이 실리콘 내에서 열로 변환되고 매우 적은 양의 광 또한 적외선 영역의 파장을 갖음따라서 LED 다이오드를 제조할 때는 p형에는 갈륨을, n형에는 비소를 도핑함LED 수명에 영향을 미치는 요소로는 온도, LED 구동 레벨, 전원 공급 장치, 환경 등이 있음 https://nate0707.tistory.com/109 【전자회로 기본Ⅰ】 9강 - LED 발광 다이오드0. 이전 이야기 8강에서는 쇼트키 다이오드에 대하여..

0. 이전 이야기 8강에서는 쇼트키 다이오드에 대하여 학습하였음쇼트키 다이오드란 금속과 n형 실리콘 반도체의 접합으로 되어있는 다이오드임쇼트키 다이오드의 경우 N형 반도체와 금속 접합의 공핍영역은 N형 반도체에 형성되는 양이온 층만으로 이뤄짐 따라서 금속에는 정공이 없어 음 이온층이 형성되지 않아 전위장벽이 일반 pn접합보다 낮음그렇기에 금속과 인접한 실리콘의 전자의 에너지 준위의 차이인 쇼트키 배리어는 0.3V정도로 일반 다이오드에 비해 매우 낮음낮은 접합전위를 갖기 때문에 쇼트키 다이오드는  낮은 순방향 전압과 낮은 역 항복전압, 높은 역방향 누설 전류를 가짐쇼트키 다이오드의 특징으로는 낮은 턴온 전압, 낮은 접합 커패시턴스, 빠른 복구 시간 등이 있음쇼트키 다이오드의 순방향 전압 강하가 낮다는 점과..

0. 이전 이야기 7강에서는 제너 다이오드에 대하여 학습하였음제너 다이오드란 농도가 진한, 즉 도핑이 많이된 p형 및 n형 반도체를 이용한 다이오드를 말함이들은 일반 다이오드에 비해 상대적으로 얇은 접합 층을 형성하고 결과적으로 낮은 역항복 전압을 가짐* 표준 pn 다이오드에 p형 영역에 정공이, n형 영역에 전자가 많아져 공핍층이 얇아졌다고 생각하면 됨제너 다이오드는 전류가 변화되어도 전압이 일정하다는 특징을 갖고 있는데, 이를 이용하여 정전압 회로에 사용되거나 서지 전류 및 정전기로부터 IC를 보호하는 보호 소자로서 사용됨제너 다이오드의 역방향 항복 형태로는 애벌란치항복과 제너항복이 있음높은 전계강도에서는 낮은 전압에서도 정공과 전자가 공핍층을 가로 질러 결합하여 역전류를 생성하는 것이 쉽게 됨 일반..

0. 이전 이야기 6강에서는 다이오드의 동작 원리에 대하여 학습했음다이오드는 기본적으로 pn접합이 이뤄지는데, 이때 pn접합이란 실리콘에 +3가를 도핑한 p형 반도체와 실리콘에 +5가를 도핑한 n형 반도체를 붙여놓은 것을 말함이때 pn접합에서는 공핍층이 만들어지는데 접합이 이루어진 후 접합면 부근 캐리어들이 재결합을 이루며 소멸하여, 그 부분에는 이온들만 존재하게 되므로 전기적 중성이 깨지게 됨이렇게 다수 캐리어들이 재결합으로 소멸한 접합면 부근의 영역을 공핍층이라고 부름p영역에 $(+)$, n영역에 $(-)$ 전압을 연결한 상태인 순방향 바이어스를 걸어주면 공핍층은 얇아지게 됨* 다수캐리어가 공핍층쪽으로 이동하여 이온들이 중성화되기 때문임p영역에 $(-)$, n영역에 $(+)$ 전압을 연결한 상태인 역..

0. 이전 이야기 지난 5강에서는 n형 반도체와 p형 반도체에 대하역 학습하였음순수한 반도체인 진성 반도체는 실리콘 외부에 전압을 걸어도 전류가 흐르지 않기 때문에 이를 해결하기 위해 도핑을 함도핑이란 원자가띠에 3개 도는 5개의 전자가 있는 불순물을 첨가함으로써 전자나 정공의 수를 인위적으로 조절하는 방법임이때 +3가 불순물이 첨가될 경우 p형 반도체가 되고 +5가 불순물이 첨가될 경우 n형 반도체가 됨반도체에 전류가 흐를 때 대부분의 전류 흐름을 만들어 내는 잉여전자와 정공을 다수 반송자, 소수의 흐름을 만들어 내는 것을 소수 반송자라고 함https://nate0707.tistory.com/104 【전자회로 기본Ⅰ】 5강 - n형과 p형 반도체0. 이전 이야기 지난 4강 반도체의 성질에서는 도체와 절..

0. 이전 이야기 지난 4강 반도체의 성질에서는 도체와 절연체의 중간 성질을 띄는 반도체에 대하여 학습하였음반도체의 전기적 성질을 인위적으로 조절해 다양한 역할을 하는 전기소자를 제작할 수 있음원자가띠와 전도띠 사이를 밴드 갭이라고 하는데, 밴드 갭 이상의 에너지를 받아 전자가 원자가띠에서 전도띠로 이동할 때 이동한 전도띠 안의 전자를 자유전자라고 하며, 원래 원자가띠에 있던 전자의 자리를 정공이라고 함반도체는 외부의 에너지로부터 자유전자가 발생하고 이 것이 전도띠에서 자유롭게 이동하면서 자유전자전류가 생성됨https://nate0707.tistory.com/102 【전자회로 기본Ⅰ】 4강 - 반도체의 성질0. 이전 이야기 3강에서는 인덕터에 대하여 학습하였음인덕터는 에너지를 저장하는 장치로 에너지를 전..

0. 이전 이야기 3강에서는 인덕터에 대하여 학습하였음인덕터는 에너지를 저장하는 장치로 에너지를 전기장으로 저장하는 커패시터와 달리 에너지를 자기장 형태로 저장함인덕터는 렌츠의 관성법칙에 의해 전류가 변하면 그 변화를 방해하는 역기전력이 생기며 이가 전류의 흐름을 방해함인덕턴스는 교류전류의 흐름을 방해하는 인덕터의 능력을 말하는데, 이는 도선에 흐르는 전류에 반비례하고 코일이 감긴 횟수에 비례함칩 인덕터의 종류에는 파워 인덕터, 고주파 인덕터, 비드 등이 있음이중 비드는 전자파 노이즈인 고주파 EMI를 제거하는 역할을 함인덕터의 임피던스는 주파수가 커질수록, 인덕턴스 값이 클수록 커짐하지만 특정 구간부터는 주파수가 증가함에 따라 임피던스는 감소하는데 이는 병렬 커패시터 $C_p$에 의한 임피던스 감소 때..